المقحل MOSFET في التبديل وتركيب Darlington
يشرح هذا الدرس المقحل MOSFET بقناة N من نوع الإغناء (البنية والرمز والمميزات وتوتر العتبة ومقاومة التوصيل) واستعماله مبدّلة تقودها بوابة منطقية أو ميكرومراقب PIC، وتطبيقه في الوماض الإلكتروني للسيارة بالدارة NE555، ثم تركيب Darlington ومصفوفة ULN2003 وقيادة المرحلات والمحركات والمصابيح مع ثنائية العجلة الحرة واختيار المكوّن من جدول الصانع، ويُختم بتمارين محلولة بنمط البكالوريا.
يتكوّن الدرس من 6 أجزاء: 1. المقحل MOSFET بقناة N من نوع الإغناء: البنية والرمز والمميزات، 2. المقحل MOSFET في التبديل: الحالتان وضياعات التوصيل ودارة القيادة، 3. تطبيق: الوماض الإلكتروني للسيارة (centrale clignotante)، 4. تركيب Darlington ومصفوفة ULN2003، 5. قيادة المرحل والمحرك والمصباح واختيار المكوّن من جدول الصانع، 6. تمارين محلولة بنمط البكالوريا.
1. المقحل MOSFET بقناة N من نوع الإغناء: البنية والرمز والمميزات
لماذا MOSFET؟
رأينا أن المقحل ثنائي القطبية يُقاد بتيار القاعدة $I_B$: لكي يمرّر $3\ A$ بمعامل $\beta = 30$ يحتاج $100\ mA$ في قاعدته، وهذا ما لا يقدّمه مخرج بوابة منطقية ولا رجل ميكرومراقب. المقحل ذو الأثر الحقلي MOSFET (transistor à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur) يُقاد بتوتر $V_{GS}$ بين بوابته ومنبعه، ولا يكاد يستهلك تيارًا في بوابته. لذلك هو المبدّلة الإلكترونية المفضّلة اليوم في طوابق الاستطاعة: الوماض والمحركات الصغيرة والمحرك خطوة/خطوة وتغذيات التقطيع.
البرنامج يطلب نوعًا واحدًا: MOSFET بقناة N من نوع الإغناء (à enrichissement)، ويُسمّى أيضًا ذا القناة المحرَّضة (canal induit).
البنية: فكرة مبسّطة

يبيّن الشكل مقطعًا في المقحل: (a) عندما $V_{GS} = 0$، و(b) عندما يتجاوز $V_{GS}$ توتر العتبة فتظهر القناة N تحت البوابة ويمرّ التيار $I_D$ من المصرف إلى المنبع.
- الركيزة (substrat) نصف ناقل من النوع P قليل التطعيم، وهي موصولة داخليًا بالمنبع.
- في الركيزة منطقتان من النوع N كثيرتا التطعيم ($N^+$): الأولى موصولة بـ المنبع S (source) والثانية بـ المصرف D (drain).
- فوق الركيزة بين المنطقتين طبقة رقيقة جدًا من أكسيد السيليسيوم $SiO_2$، وهي عازلة، وعليها قطب ناقل هو البوابة G (grille, gate).
الحالة (a)، $V_{GS} = 0$: بين S وD ثلاث مناطق $N^+\,P\,N^+$، أي وصلتان PN متعاكستان، فإحداهما محجوبة دائمًا: $I_D = 0$. المقحل مفتوح في الراحة، ولهذا نقول إنه «عادي الفتح».
الحالة (b)، $V_{GS} > 0$: البوابة والركيزة تشكّلان مكثفة عازلُها الأكسيد. البوابة الموجبة تدفع الثقوب وتجذب الإلكترونات تحت الأكسيد. عندما يتجاوز $V_{GS}$ قيمة تُسمّى توتر العتبة $V_{GS(th)}$ (tension de seuil) يكفي عدد الإلكترونات لتكوين طبقة رقيقة من النوع N تصل المنبع بالمصرف: هي القناة المحرَّضة. يمرّ عندئذ تيار المصرف $I_D$ من D إلى S. وكلما زاد $V_{GS}$ «أُغنيت» القناة بالإلكترونات وصغرت مقاومتها، ومن هنا اسم الإغناء.
> البوابة معزولة بالأكسيد: في الحالة المستقرة $I_G = 0$ (مقاومة الدخل نحو $10^{12}\ \Omega$). المقحل MOSFET يُقاد بالتوتر $V_{GS}$ لا بالتيار.
لكن البوابة والمنبع يشكّلان مكثفة (نحو $1$ إلى $2\ nF$ في مقاحل الاستطاعة) يجب شحنها عند كل توصيل وتفريغها عند كل حجب: سنرى في الجزء الثاني نتيجة ذلك على دارة القيادة.
الرمز والمقادير

في الرمز: خط القناة متقطّع (ثلاثة أجزاء) لأن القناة غير موجودة في الراحة (نوع الإغناء)، والسهم على الركيزة يتجه نحو القناة دلالة على القناة N (في القناة P يخرج السهم)، والركيزة موصولة بالمنبع. الأسهم الزرقاء توترات بالاصطلاح الفرنسي (رأس السهم نحو القطب الموجب).
| MOSFET بقناة N | المقحل NPN | الدور | |---|---|---| | البوابة G | القاعدة B | طرف التحكم | | المصرف D | المجمّع C | يستقبل تيار الحمولة | | المنبع S | الباعث E | يُوصل بالأرضي في التبديل | | التحكم بالتوتر $V_{GS}$، و$I_G = 0$ | التحكم بالتيار $I_B$ | | | التوصيل التام: مقاومة $R_{DS(on)}$ | الإشباع: توتر $V_{CEsat}$ | |
ملاحظة: لأن الركيزة P موصولة بالمنبع، تتكوّن بين المنبع والمصرف وصلة PN هي الثنائية الداخلية (diode de structure): مصعدها S ومهبطها D. تكون محجوبة في التشغيل العادي ($V_{DS} > 0$)، ولا تحمي المقحل من فرط التوتر الذي تُحدثه الوشيعة (انظر الجزء الثاني).
مميزة التحويل $I_D = f(V_{GS})$

المنحنى مرسوم لمقحل توضيحي عند $V_{DS}$ ثابت وكبير، وفيه منطقتان:
- الحجب: $V_{GS} < V_{GS(th)}$، و$I_D = 0$ مهما كان $V_{DS}$.
- التوصيل: $V_{GS} > V_{GS(th)}$، ويزداد $I_D$ بسرعة. في منطقة التيار الثابت (انظر المميزة التالية) يُقرَّب بالعلاقة:
$ I_D = K\,(V_{GS} - V_{GS(th)})^2 $
حيث K ثابت يتعلق بالمقحل ($A/V^2$). في الشكل $V_{GS(th)} = 3\ V$ و$K = 0{,}5\ A/V^2$.
توتر العتبة يُعطى في وثيقة الصانع مجالًا (مثلًا من $2$ إلى $4\ V$) مقيسًا عند تيار صغير جدًا (نحو $250\ \mu A$): عند $V_{GS} = V_{GS(th)}$ يبدأ المقحل التوصيل فقط ولا يكون قاطعة مغلقة. للتوصيل التام نطبّق توترًا أكبر بكثير:
- المقاحل العادية: $V_{GS} = 10\ V$؛
- المقاحل ذات المستوى المنطقي (logic level)، وعتبتها من $1$ إلى $2\ V$: $V_{GS}$ من $4{,}5$ إلى $5\ V$.
مميزة الخرج $I_D = f(V_{DS})$ ومستقيم الحمولة

يرسم الشكل $I_D$ بدلالة $V_{DS}$ لثلاث قيم من $V_{GS}$ مع مستقيم الحمولة لمصباحين $12\ V$، $21\ W$ على التوازي ($R_L = 12/3{,}5 \approx 3{,}43\ \Omega$). نميّز:
- المنطقة الأومية (zone ohmique) قرب المبدأ: المقحل يتصرف كمقاومة صغيرة تنقص كلما زاد $V_{GS}$. عند $V_{GS}$ الكافي تُسمّى هذه المقاومة مقاومة التوصيل $R_{DS(on)}$.
- منطقة التيار الثابت: $I_D$ لا يتعلق تقريبًا بـ $V_{DS}$ (تسمّيها كتب كثيرة «منطقة الإشباع» للـ MOSFET، وهي عكس معنى الإشباع في المقحل ثنائي القطبية، فانتبه). هذه منطقة التضخيم، ونتجنّبها في التبديل.
قانون الحلقة يعطي مستقيم الحمولة: $V_{cc} = R_L\,I_D + V_{DS}$. نقطة التشغيل هي تقاطعه مع مميزة $V_{GS}$ المطبّق:
| النقطة | $V_{GS}$ | $I_D$ | $V_{DS}$ | الاستطاعة في المقحل | الحالة | |---|---|---|---|---|---| | B | $0$ | $0$ | $12\ V$ | $0$ | محجوب (قاطعة مفتوحة) | | A | $10\ V$ | $\approx 3{,}36\ A$ | $\approx 0{,}5\ V$ | $\approx 1{,}7\ W$ | توصيل تام (قاطعة مغلقة) | | P | $4\ V$ | $0{,}5\ A$ | $\approx 10{,}3\ V$ | $\approx 5{,}1\ W$ | تضخيم: يسخن والمصباحان شبه مطفأين |
النقطة P تفسّر أخطر خطأ في تصميم طابق التبديل: توتر بوابة غير كافٍ يترك المقحل في منطقة التيار الثابت، فيبدّد استطاعة كبيرة والحمولة لا تشتغل.
مثال محلول: قراءة المميزة
للمقحل التوضيحي ($V_{GS(th)} = 3\ V$، $K = 0{,}5\ A/V^2$):
- عند $V_{GS} = 2\ V$: $V_{GS} < V_{GS(th)}$، المقحل محجوب و$I_D = 0$.
- عند $V_{GS} = 5\ V$ (منطقة التيار الثابت): $I_D = 0{,}5 \times (5 - 3)^2 = 2\ A$.
- التوتر اللازم لـ $I_D = 8\ A$: $(V_{GS} - 3)^2 = 8/0{,}5 = 16$، ومنه $V_{GS} - 3 = 4$، أي $V_{GS} = 7\ V$.
- في النقطة P: الحمولة تفرض $V_{DS} = 12 - 3{,}43 \times 0{,}5 \approx 10{,}3\ V$، والاستطاعة $P = V_{DS}\,I_D \approx 10{,}3 \times 0{,}5 \approx 5{,}1\ W$.
مقادير وثيقة الصانع
| المقدار | معناه | قيم نموذجية لمقحل استطاعة (IRF540N) | |---|---|---| | $V_{DSS}$ | أقصى توتر بين المصرف والمنبع يتحمّله المقحل محجوبًا | $100\ V$ | | $I_D$ | أقصى تيار مستمر في المصرف | $33\ A$ (والعلبة عند $25\ °C$) | | $V_{GS(th)}$ | توتر العتبة بوابة-منبع | من $2$ إلى $4\ V$ | | $R_{DS(on)}$ | مقاومة التوصيل عند $V_{GS}$ المذكور | $44\ m\Omega$ عند $V_{GS} = 10\ V$ | | $V_{GS\,max}$ | أقصى توتر يتحمّله عازل البوابة | $\pm 20\ V$ |
ملاحظة للامتحان: إذا أُعطيت بيانات مثل «$V_{GS(th)} = 3\ V$، $V_{DSS} = 50\ V$، $I_D = 1\ A$» وطُلب نوع المقحل وتفسيرها، أجب: مقحل MOSFET بقناة N من نوع الإغناء؛ يبدأ التوصيل عندما يتجاوز $V_{GS}$ قيمة $3\ V$؛ يتحمّل في الحجب حتى $50\ V$ بين D وS؛ أقصى تيار في مصرفه $1\ A$.
أخطاء شائعة
- تسمية البوابة «زنادًا» (gâchette): الزناد للتيريستور والترياك، أما في MOSFET فهي البوابة (grille).
- الظن أن $V_{GS} > 0$ أو $V_{GS} = V_{GS(th)}$ يكفي للتوصيل التام.
- الخلط بين «منطقة الإشباع» في MOSFET (تيار ثابت، تضخيم) وإشباع المقحل ثنائي القطبية (قاطعة مغلقة).
- تجاوز $V_{GS\,max}$: عازل البوابة رقيق جدًا ويُثقب بتوتر زائد.
2. المقحل MOSFET في التبديل: الحالتان وضياعات التوصيل ودارة القيادة
طابق التبديل النموذجي

يُظهر الشكل الطابق الذي يتكرر في مواضيع البكالوريا: مخرج منطقي (هنا الرجل RB0 لميكرومراقب PIC) يغذّي البوابة عبر مقاومة البوابة $R_G$، ومقاومة السحب $R_{GS}$ بين البوابة والأرضي، والمنبع على الأرضي، والحمولة (محرك M) بين $+12\ V$ والمصرف، وثنائية العجلة الحرة D على التوازي مع المحرك ومهبطها نحو $+12\ V$.
الحالتان
| الحالة | الشرط | التيار $I_D$ | التوتر $V_{DS}$ | المكافئ بين D وS | |---|---|---|---|---| | محجوب (bloqué) | $V_{GS} < V_{GS(th)}$، عمليًا $V_{GS} = 0$ | $0$ | $V_{cc}$ | قاطعة مفتوحة | | توصيل تام (passant، ويُقال «مشبع») | $V_{GS}$ كافٍ: $10\ V$ أو $5\ V$ حسب النوع | تفرضه الحمولة | $R_{DS(on)}\,I_D$ صغير | مقاومة صغيرة $R_{DS(on)}$ |
> انتبه إلى صياغة الامتحان: إذا قرأت «المقحل MOSFET مشبع» في سؤال عن التبديل، فالمقصود التوصيل التام (قاطعة مغلقة، $V_{DS} = R_{DS(on)}\,I_D$ صغير)، كما نقول عن المقحل ثنائي القطبية؛ وليس «منطقة الإشباع» في مميزة الخرج، التي هي منطقة التيار الثابت.
في التوصيل التام تحدد الحمولة التيار، كما في المقحل المشبع:
$ I_D = \dfrac{V_{cc}}{R_L + R_{DS(on)}} \approx \dfrac{V_{cc}}{R_L} $
ضياعات التوصيل
المقحل الموصل مقاومة $R_{DS(on)}$ يمرّ فيها $I_D$، فيبدّد بمفعول جول:
$ P_{on} = R_{DS(on)}\,I_D^2 $
وفي الحجب لا يبدّد شيئًا ($I_D = 0$). إذا كان المقحل موصلًا جزءًا α من الدور فقط (وماض، تقطيع) فالاستطاعة المتوسطة $P_{moy} = \alpha\,R_{DS(on)}\,I_D^2$. نقارنها بما يتحمّله المقحل في علبته دون مبرّد (نحو $1\ W$ لعلبة TO-220 في الهواء، وأقل لعلبة صغيرة)، فإن تجاوزته ركّبنا مبرّدًا (radiateur).
المقارنة مع المقحل ثنائي القطبية: هذا يبدّد $P = V_{CEsat}\,I_C$، أي أنه يتناسب مع التيار، أما MOSFET فيبدّد $R_{DS(on)}\,I_D^2$. مع $R_{DS(on)} = 25\ m\Omega$ و$I_D = 2\ A$: $V_{DS} = 0{,}05\ V$ فقط و$P = 0{,}1\ W$، بينما مقحل $V_{CEsat} = 0{,}3\ V$ يبدّد $0{,}6\ W$، وتركيب Darlington ($V_{CEsat} \approx 1\ V$) يبدّد $2\ W$.
القيادة من بوابة منطقية أو من ميكرومراقب
1. مستوى التوتر
يجب أن يعطي المخرج في الحالة 1 توترًا كافيًا للتوصيل التام:
| مصدر التحكم | توتر الحالة 1 | المقحل المناسب | |---|---|---| | بوابة CMOS من السلسلة 4000 تحت $12\ V$ أو NE555 تحت $12\ V$ | نحو $12\ V$ (نحو $10{,}5\ V$ للـ NE555) | MOSFET عادي (عتبة $2$ إلى $4\ V$) | | PIC16F84A أو بوابة CMOS تحت $5\ V$ | قرابة $5\ V$ | MOSFET ذو مستوى منطقي (عتبة $1$ إلى $2\ V$، و$R_{DS(on)}$ مضمونة عند $4{,}5$ أو $5\ V$)، مثل IRLZ44N | | بوابة TTL | $2{,}4\ V$ فقط في أسوأ حالة | لا يصلح مباشرة: نضيف طابقًا وسيطًا |
2. مقاومة البوابة $R_G$
لحظة التوصيل تكون مكثفة البوابة فارغة، فيطلب المخرج تيار شحن ذروته $V_{OH}/R_G$. المقاومة $R_G$ (من $100\ \Omega$ إلى $1\ k\Omega$) تحدّ ذروة هذا التيار فتحمي المخرج (رجل PIC16F84A لا تتحمّل أكثر من $25\ mA$)، وتخمد الاهتزازات الناتجة عن أسلاك التوصيل.
3. مقاومة السحب نحو الأرضي $R_{GS}$ (pull-down)
البوابة المعزولة إذا تُركت «عائمة» تحتفظ بشحنتها أو تلتقط الضجيج، فقد يوصل المقحل جزئيًا ويسخن، أو يشتغل المحرك دون أمر. المقاومة $R_{GS}$ (من $10$ إلى $100\ k\Omega$) تثبّت البوابة على 0 وتضمن الحجب كلما كان المخرج في حالة الممانعة العالية، وتفرّغ مكثفة البوابة عند انقطاع الأمر. أهم حالة في البكالوريا: عند إعادة تهيئة PIC16F84A تكون كل أرجله مداخل ($TRISB = FFh$)، أي ممانعة عالية، حتى ينفّذ البرنامج التهيئة.
المقاومتان تشكّلان مجزّئ توتر:
$ V_{GS} = V_{OH}\,\dfrac{R_{GS}}{R_G + R_{GS}} $
4. ثنائية العجلة الحرة
مع حمولة حثية (مرحل، محرك، كهرومغناطيس) نضع ثنائية على التوازي مع الحمولة، مهبطها نحو $+V_{cc}$، كما مع المقحل ثنائي القطبية: عند الحجب تعطي تيار الوشيعة طريقًا فلا يتجاوز $V_{DS}$ قيمة $V_{cc} + 0{,}7\ V$. الثنائية الداخلية للـ MOSFET لا تغني عنها: هي بين S وD، والتوتر الزائد عند الحجب يجعل المصرف موجبًا جدًا فتبقى محجوبة.
مثال محلول: PIC يقود محركًا عبر MOSFET
الرجل RB0 لميكرومراقب PIC16F84A (تحت $5\ V$) تتحكم في محرك مروحة $12\ V$ يمتصّ $2\ A$. المقحل IRLZ44N: $V_{DSS} = 55\ V$، $I_D = 47\ A$، $V_{GS(th)}$ من $1$ إلى $2\ V$، $R_{DS(on)} = 25\ m\Omega$ عند $V_{GS} = 5\ V$.
- التحقق من الاختيار: $V_{DSS} = 55\ V$ أكبر من $12\ V$؛ و$47\ A$ أكبر بكثير من $2\ A$ ومن تيار إقلاع المحرك؛ والعتبة تسمح بالقيادة من $5\ V$.
- التوتر والاستطاعة في التوصيل: $V_{DS} = 0{,}025 \times 2 = 0{,}05\ V$، و$P = 0{,}025 \times 2^2 = 0{,}1\ W$: لا حاجة إلى مبرّد.
- $R_G$: نريد $5/R_G \le 25\ mA$، أي $R_G \ge 200\ \Omega$، فنختار القيمة المقيّسة $220\ \Omega$ (ذروة $22{,}7\ mA$).
- $R_{GS} = 10\ k\Omega$: $V_{GS} = 5 \times \dfrac{10}{10{,}22} \approx 4{,}89\ V$، وهو أكبر بكثير من العتبة. التيار المستمر المسحوب من الرجل $5/10{,}22\ k\Omega \approx 0{,}49\ mA$ فقط.
- لو استعملنا مقحلًا ثنائي القطبية للاستطاعة معامله $\beta_{min} = 25$ لاحتجنا $I_B = 2/25 = 80\ mA$ على الأقل: هذا أكبر من $25\ mA$، فالرجل لا تستطيع قيادته مباشرة.
مقطع التهيئة الذي يجعل RB0 مخرجًا مع إبقاء المحرك متوقفًا:
بين إعادة التهيئة وتنفيذ `BCF TRISB,0` تكون RB0 مدخلًا، والمقاومة $R_{GS}$ هي التي تُبقي المحرك متوقفًا.
أخطاء شائعة
- نسيان $R_{GS}$ مع ميكرومراقب: المحرك قد يدور أو يرتجف عند وضع التغذية.
- قيادة MOSFET عادي من $5\ V$ وانتظار $R_{DS(on)}$ المذكورة عند $10\ V$.
- حساب الضياعات بـ $R_{DS(on)}\,I_D$: هذا توتر، والاستطاعة $R_{DS(on)}\,I_D^2$.
- الاعتماد على الثنائية الداخلية بدل ثنائية العجلة الحرة.
- كتابة $V_{GS} = V_{OH}$ دون مراعاة المجزّئ $R_G$، $R_{GS}$ إذا كانت $R_{GS}$ صغيرة.
3. تطبيق: الوماض الإلكتروني للسيارة (centrale clignotante)
دفتر الشروط
مصابيح الإشارة الجانبية (feux indicateurs de direction) في السيارة تومض عندما يحرّك السائق ذراع الإشارة (commodo) K نحو اليسار أو اليمين. المطلوب:
- تواتر الومض بين $60$ و$120$ ومضة في الدقيقة، أي بين $1$ و$2\ Hz$ (القيمة المعتادة نحو $90$ ومضة في الدقيقة)؛
- المصباح مشتعل قرابة نصف الدور؛
- التغذية من بطارية $12\ V$؛
- في كل جهة مصباحان ($12\ V$، $21\ W$): أمامي وخلفي.
السلسلة الوظيفية
| الوظيفة | المكوّن | الدور | |---|---|---| | توليد إشارة الساعة | NE555 في التركيب اللامستقر مع $R_A$ و$R_B$ وC | يفرض تواتر الومض ونسبته الدورية | | الربط | $R_G$ و$R_{GS}$ | يحمي المخرج ويضمن الحجب | | التبديل (المنفذ المتصدر) | MOSFET بقناة N | يغلق دارة المصابيح ويفتحها | | الاختيار والتشغيل | ذراع الإشارة K | يختار جهة المصابيح | | التنفيذ | المصباحان L1 وL2 | الإشارة الضوئية |
الدارة

الدارة NE555 مركّبة لامستقرة: $R_A$ بين $+12\ V$ والطرف 7، و$R_B$ بين الطرفين 7 و6، والطرفان 6 و2 موصولان بالمكثفة C، والطرفان 4 و8 بـ $+12\ V$، والطرف 5 بمكثفة $10\ nF$ نحو الأرضي. المخرج 3 يقود بوابة المقحل T عبر $R_G$، و$R_{GS}$ بين البوابة والأرضي. المصباحان L1 وL2 على التوازي بين المصرف وذراع الإشارة K الموصول بـ $+12\ V$. في الجهة الأخرى مصباحان مماثلان يغذّيهما K في وضعه الثاني، وطرفاهما الآخران موصولان بمصرف المقحل نفسه.
التشغيل
- أثناء $t_H$ يكون مخرج NE555 في المستوى العالي، نحو $10{,}5\ V$ (أقل من $V_{cc}$ بنحو $1{,}5\ V$)، فـ $V_{GS} \approx 10{,}5\ V$ والمقحل موصل توصيلًا تامًا: المصباحان مشتعلان.
- أثناء $t_L$ يكون المخرج في 0، فـ $V_{GS} = 0$ والمقحل محجوب: المصباحان مطفآن، و$V_{DS} = 12\ V$.
- ذراع الإشارة K في الوسط: لا يمرّ تيار في المصابيح حتى لو كان المقحل موصلًا.

المخطط الزمني محسوب للقيم المختارة أدناه: $u_C$ يتأرجح بين $\frac{V_{cc}}{3} = 4\ V$ و$\frac{2V_{cc}}{3} = 8\ V$؛ والمنحنى الثاني توتر المخرج 3 ($V_{OUT}$)، و$V_{GS}$ أصغر منه قليلًا بسبب المجزّئ $R_G$، $R_{GS}$؛ والمقحل يوصل ($I_D = 3{,}5\ A$، $V_{DS} \approx 0{,}15\ V$) ما دام المخرج عاليًا. الومضة الأولى أطول لأن المكثفة تبدأ من 0 لا من $4\ V$.
الحساب: مثال محلول
نختار $R_A = 4{,}7\ k\Omega$، و$R_B = 47\ k\Omega$، و$C = 10\ \mu F$.
- مدة الاشتعال:
$ t_H = 0{,}69\,(R_A + R_B)\,C $
$t_H = 0{,}69 \times 51{,}7\times 10^{3} \times 10\times 10^{-6} \approx 0{,}357\ s$.
- مدة الانطفاء: $t_L = 0{,}69\,R_B\,C = 0{,}69 \times 47\times 10^{3} \times 10^{-5} \approx 0{,}324\ s$.
- الدور والتواتر: $T = t_H + t_L \approx 0{,}681\ s$، و$f = 1/T \approx 1{,}47\ Hz$، أي $60 \times 1{,}47 \approx 88$ ومضة في الدقيقة: يحقق دفتر الشروط. (العلاقة $f = \dfrac{1{,}44}{(R_A + 2R_B)\,C}$ تعطي $1{,}46\ Hz$؛ الفرق من التقريب فقط.)
- النسبة الدورية: $\alpha = \dfrac{R_A + R_B}{R_A + 2R_B} = \dfrac{51{,}7}{98{,}7} \approx 52{,}4\ \%$. اخترنا $R_B$ أكبر بكثير من $R_A$ لنقترب من $50\ \%$.
- الومضة الأولى: تُشحن C من 0 إلى $\frac{2V_{cc}}{3}$، فمدتها $(R_A + R_B)\,C\,\ln 3 \approx 1{,}1 \times 0{,}517 \approx 0{,}57\ s$.
اختيار المقحل
- التيار: $I_D = \dfrac{2 \times 21}{12} = 3{,}5\ A$. المصباح البارد مقاومته أصغر بكثير من مقاومته ساخنًا، فتيار الإشعال قد يبلغ عدة أضعاف التيار الاسمي لبضعة ميلي ثوانٍ: نختار مقحلًا تيارُه أكبر بكثير من $3{,}5\ A$.
- التوتر: البطارية تبلغ نحو $14{,}4\ V$ والمحرك يدور، وتظهر في الشبكة توترات عابرة: نأخذ $V_{DSS}$ لا يقل عن $40$ إلى $60\ V$.
- القيادة: $V_{GS} \approx 10{,}5\ V$ يكفي لمقحل عادي.
المقحل IRF540N ($V_{DSS} = 100\ V$، $I_D = 33\ A$، $R_{DS(on)} = 44\ m\Omega$ عند $10\ V$) يحقق كل ذلك:
- $V_{DS(on)} = 0{,}044 \times 3{,}5 \approx 0{,}15\ V$؛
- الاستطاعة أثناء الاشتعال: $P_{on} = 0{,}044 \times 3{,}5^2 \approx 0{,}54\ W$؛
- الاستطاعة المتوسطة: $P_{moy} = \alpha\,P_{on} \approx 0{,}524 \times 0{,}54 \approx 0{,}28\ W$: لا يحتاج مبرّدًا.
مع $R_G = 100\ \Omega$ و$R_{GS} = 10\ k\Omega$: $V_{GS} = 10{,}5 \times \dfrac{10}{10{,}1} \approx 10{,}4\ V$، ولا تقدّم الدارة NE555 في الحالة المستقرة إلا نحو $1\ mA$.
للمقارنة: تركيب Darlington من نوع TIP122 ($V_{CEsat}$ نحو $2\ V$ عند هذا التيار) يبدّد أثناء الاشتعال نحو $2 \times 3{,}5 = 7\ W$، ويسرق من المصباحين جزءًا من توترهما.
حلول أخرى لتوليد الساعة
1. ساعة ببوابتين CMOS (من الدارة 4011 مثلًا، مغذّاة بـ $12\ V$): $T \approx 2{,}2\,RC$. مع $C = 1\ \mu F$ و$R = 330\ k\Omega$: $T \approx 0{,}726\ s$، و$f \approx 1{,}38\ Hz$، أي نحو $83$ ومضة في الدقيقة، بنسبة دورية $50\ \%$. مخرج CMOS تحت $12\ V$ يقود MOSFET العادي مباشرة.
2. ميكرومراقب PIC16F84A (تحت $5\ V$ من منظّم، بلورة $4\ MHz$، أي $T_{cy} = 1\ \mu s$) مع MOSFET ذي مستوى منطقي على RB0. البرنامج يقلب RB0 كل $300\ ms$ تقريبًا:
حساب `tempo100` باصطلاح درس التأجيل (نعدّ من CALL إلى RETURN ضمنًا): الحلقة الداخلية $3 \times 255 - 1 = 764$ دورة، وكل مرور في الحلقة الخارجية يضيف 5 دورات (MOVLW وMOVWF وDECFSZ دورة لكل منها، وGOTO دورتان)، أي $3N_1 + 4 = 769$ دورة. بالعلاقة $n = N_2\,(3N_1 + 4) + 5$ مع $N_1 = 255$ و$N_2 = 130$:
$ n = 130 \times 769 + 5 = 99\,975 $
أي $99\,975\ \mu s \approx 100\ ms$. البرنامج الفرعي `tempo300` يستدعيه 3 مرات فيدوم $299\,939\ \mu s \approx 300\ ms$، والدور $\approx 0{,}6\ s$، و$f \approx 1{,}67\ Hz$، أي $100$ ومضة في الدقيقة.
ملاحظات
- في السيارة الحقيقية المصابيح موصولة بالهيكل (الأرضي)، فيوضع المبدّل في جهة الموجب: مرحل يقوده الطابق نفسه، أو MOSFET مركّب في جهة الموجب بدارة قيادة خاصة. التركيب المدروس هنا (الحمولة بين $+12\ V$ والمصرف) هو تركيب البرنامج، وهو الأبسط لقيادة MOSFET بقناة N.
- إذا وُصل الطرف 4 (RESET) بإشارة تحكم (مرحلة متمن، مخرج ذراع الإشارة) بدل $+12\ V$، صار للوماض إذن تشغيل: $RESET = 0$ يفرض المخرج 0، فالمصابيح مطفأة.
أخطاء شائعة
- استعمال $R_A + R_B$ بدل $R_A + 2R_B$ في الدور.
- نسيان أن المصابيح تشتعل أثناء $t_H$ (المخرج عالٍ) لا $t_L$.
- حساب تيار مصباح واحد بدل مجموع المصباحين.
- إهمال تيار الإشعال للمصباح البارد عند اختيار المقحل.
4. تركيب Darlington ومصفوفة ULN2003
لماذا نحتاج تركيب Darlington؟
مقاحل الاستطاعة ثنائية القطبية لها ربح تيار صغير عند التيارات الكبيرة: $\beta$ من $20$ إلى $50$. لتمرير $3\ A$ بـ $\beta = 25$ يلزم $I_B = 120\ mA$، وهذا ما لا تقدّمه بوابة منطقية ولا رجل ميكرومراقب (بضعة ميلي أمبير إلى $25\ mA$). الحل: مقحل أول صغير يقدّم تيار القاعدة للمقحل الثاني الكبير. هذا هو تركيب Darlington (montage Darlington).
البنية

المقحل T1 (مقحل القيادة) والمقحل T2 (مقحل الاستطاعة) من النوع NPN:
- المجمّعان موصولان ويشكّلان المجمّع C للتركيب؛
- باعث T1 موصول بقاعدة T2، فتيار باعث T1 هو تيار قاعدة T2؛
- قاعدة T1 هي القاعدة B للتركيب، وباعث T2 هو الباعث E.
للتركيب ثلاثة أطراف B وC وE، ويُستعمل كمقحل NPN واحد ربحه كبير جدًا. يُباع أيضًا مندمجًا في علبة واحدة (TIP120 وTIP122 للاستطاعة، BC517 للتيارات الصغيرة)، وبعض هذه العلب يضم مقاومات بين القاعدة والباعث وثنائية بين الباعث والمجمّع.
ربح التيار
نتبع التيارات في الشكل:
- $I_{C1} = \beta_1\,I_B$، و$I_{E1} = (\beta_1 + 1)\,I_B$؛
- $I_{B2} = I_{E1}$، فـ $I_{C2} = \beta_2\,(\beta_1 + 1)\,I_B$؛
- $I_C = I_{C1} + I_{C2}$.
بالجمع:
$ \beta = \dfrac{I_C}{I_B} = \beta_1 + \beta_2 + \beta_1\beta_2 $
وبما أن $\beta_1\beta_2$ أكبر بكثير من $\beta_1 + \beta_2$:
> ربح تركيب Darlington: $\beta \approx \beta_1\,\beta_2$ (من بضع مئات إلى عشرات الآلاف).
التوترات المميزة
$V_{BE}$ مضاعف: بين B وE وصلتان قاعدة-باعث على التسلسل:
$ V_{BE} = V_{BE1} + V_{BE2} $
أي $V_{BE} \approx 1{,}2$ إلى $1{,}4\ V$. نستعمل إذن هذه القيمة (لا $0{,}7\ V$) في حساب مقاومة القاعدة: $R_B = \dfrac{V_e - V_{BE}}{I_B}$.
$V_{CEsat}$ أكبر: حلقة المجمّع تعطي $V_{CE} = V_{CE1} + V_{BE2}$. حتى لو أُشبع T1 ($V_{CE1} \approx 0{,}2\ V$) يبقى $V_{CE} \ge 0{,}2 + 0{,}7 = 0{,}9\ V$: المقحل T2 لا يصل إلى الإشباع أبدًا. عمليًا $V_{CEsat}$ لتركيب Darlington من نحو $0{,}9\ V$ إلى $2\ V$ حسب التيار. النتيجة: ضياعات $P = V_{CEsat}\,I_C$ أكبر من مقحل واحد مشبع، وهو أيضًا أبطأ في التبديل.
مثال محلول
مخرج منطقي ($V_e = 5\ V$) يقود محركًا $24\ V$ يمتصّ $2\ A$ عبر تركيب Darlington: $\beta_1 = 150$، $\beta_2 = 30$، $V_{BE} = 1{,}4\ V$، $V_{CEsat} = 1\ V$. معامل فرط الإشباع $k = 2$.
- الربح: $\beta = 150 + 30 + 150 \times 30 = 4680$، أي $\beta \approx \beta_1\beta_2 = 4500$. نأخذ القيمة التقريبية الأصغر احتياطًا.
- تيار القاعدة الأدنى: $I_{Bsat} = \dfrac{2}{4500} \approx 0{,}444\ mA$.
- تيار القاعدة المختار: $I_B = 2 \times 0{,}444 \approx 0{,}889\ mA$.
- المقاومة: $R_B = \dfrac{5 - 1{,}4}{0{,}889\times 10^{-3}} \approx 4{,}05\ k\Omega$، فنختار $3{,}9\ k\Omega$. تحقق: $I_B = 3{,}6/3{,}9\ k\Omega \approx 0{,}92\ mA$، أكبر من $0{,}444\ mA$.
- الاستطاعة: $P = V_{CEsat}\,I_C = 1 \times 2 = 2\ W$ (مقحل MOSFET بـ $R_{DS(on)} = 50\ m\Omega$ يبدّد $0{,}2\ W$ فقط).
- بمقحل واحد $\beta = 30$: يلزم $I_B = 2/30 \approx 67\ mA$، وهو مستحيل من مخرج منطقي.
مقارنة المبدّلات الثلاث
| الخاصية | مقحل ثنائي القطبية | تركيب Darlington | MOSFET بقناة N | |---|---|---|---| | مقدار التحكم | تيار $I_B$ | تيار $I_B$ صغير جدًا | توتر $V_{GS}$ | | تيار الدخل | $I_C/\beta$ (كبير للاستطاعة) | $I_C/(\beta_1\beta_2)$ | $0$ في الحالة المستقرة | | عتبة الدخل | $V_{BE} \approx 0{,}7\ V$ | $V_{BE} \approx 1{,}4\ V$ | $V_{GS(th)}$ من $1$ إلى $4\ V$ | | الهبوط في التوصيل | $V_{CEsat} \approx 0{,}2\ V$ | $V_{CEsat}$ من $0{,}9$ إلى $2\ V$ | $R_{DS(on)}\,I_D$ | | الضياعات | $V_{CEsat}\,I_C$ | $V_{CEsat}\,I_C$ (أكبر) | $R_{DS(on)}\,I_D^2$ |
مصفوفة Darlington: الدارة ULN2003

الدارة ULN2003 (علبة DIL16) تضم سبعة تراكيب Darlington NPN، لكل منها:
- مدخل عبر مقاومة داخلية $2{,}7\ k\Omega$: يُوصل مباشرة بمخرج TTL أو CMOS أو PIC تحت $5\ V$ دون مقاومة خارجية؛
- مخرج بمجمّع مفتوح يتحمّل حتى $50\ V$ و$500\ mA$؛
- ثنائية عجلة حرة داخلية بين المخرج والطرف المشترك COM.
| المرابط | الوظيفة | |---|---| | 1 إلى 7 | المداخل 1B إلى 7B | | 8 | E: الباعثات المشتركة، إلى الأرضي | | 9 | COM: مهابط ثنائيات العجلة الحرة، إلى تغذية الحمولات | | 16 إلى 10 | المخارج 1C إلى 7C (المربط 16 للقناة 1 والمربط 10 للقناة 7) |
قواعد الاستعمال:
- الحمولة بين تغذيتها ($+12\ V$ مثلًا) والمخرج. المدخل في 1: يوصل تركيب Darlington فيسحب المخرج نحو الأرضي، والحمولة مغذّاة. الدارة إذن «عاكسة»، ولا يعطي مخرجها توترًا موجبًا أبدًا.
- نصل COM بتغذية الحمولات لتعمل الثنائيات الداخلية كثنائيات عجلة حرة مع المرحلات والمحركات.
- $V_{CEsat}$ لكل قناة نحو $1\ V$، ولا تُحمّل كل القنوات بـ $500\ mA$ معًا لأن العلبة لا تبدّد إلا استطاعة محدودة. يمكن وضع قناتين على التوازي لتيار أكبر.
- تُستعمل لقيادة المرحلات والمحركات الصغيرة وأطوار المحرك خطوة/خطوة والثنائيات الباعثة للضوء. وتوجد نسخة بثماني قنوات (ULN2803).
أخطاء شائعة
- استعمال $V_{BE} = 0{,}7\ V$ لتركيب Darlington بدل نحو $1{,}4\ V$.
- جمع الربحين ($\beta_1 + \beta_2$) بدل ضربهما.
- افتراض $V_{CEsat} = 0{,}2\ V$ لتركيب Darlington.
- ترك الطرف COM للدارة ULN2003 غير موصول مع حمولات حثية، أو وصله بالأرضي.
5. قيادة المرحل والمحرك والمصباح واختيار المكوّن من جدول الصانع
طبيعة الحمولة تحدد الاحتياطات
| الحمولة | طبيعتها | ما يجب حسابه | الحماية | |---|---|---|---| | وشيعة مرحل، ملامس، كهرومغناطيس | حثية | $I_{sat} \approx V_{cc}/R$، وR مقاومة الوشيعة | ثنائية العجلة الحرة | | محرك تيار مستمر | حثية، وتيار إقلاع كبير | التيار الاسمي وتيار الإقلاع (الدوار متوقف) | ثنائية العجلة الحرة، و$I_{max}$ أكبر من تيار الإقلاع | | مصباح بفتيلة | مقاومية | $I = P/U$، وتيار الإشعال على البارد | لا ثنائية، وهامش في التيار | | ثنائية باعثة للضوء | وصلة PN | $R = \dfrac{V_{cc} - V_F - V_{sat}}{I_F}$ | مقاومة تحديد التيار |
المرحل بين جزء التحكم والاستطاعة

يبيّن الشكل طابقًا من مواضيع البكالوريا: الإشارة المنطقية X (0 أو $5\ V$) تقود عبر $R_B$ تركيب Darlington TD، في مجمّعه وشيعة المرحل KA تحت $+24\ V$ مع الثنائية D، وتلامس KA المفتوح في الراحة يغذّي الكهرومغناطيس EM تحت $230\ V$ متناوب. للمرحل دوران:
- العزل الغلفاني: لا يوجد أي ربط كهربائي بين دارة التحكم ($5\ V$ و$24\ V$ مستمر) ودارة $230\ V$؛
- تبديل التيار المتناوب: المقحل لا يمرّر التيار إلا في اتجاه واحد، فلا يستطيع تبديل حمولة متناوبة مباشرة (الحل الإلكتروني لذلك هو الترياك، في الدرس الموالي).
طريقة اختيار المقحل من جدول
الخطوة 1: حساب قيم التشغيل
- في الحجب: $V_{CE} = V_{cc}$ (أو $V_{DS} = V_{cc}$)؛
- في الإشباع أو التوصيل: $I_{Csat} = \dfrac{V_{cc} - V_{CEsat}}{R}$، أو بإهمال $V_{CEsat}$: $I_{Csat} \approx \dfrac{V_{cc}}{R}$؛
- الاستطاعة: $P = V_{CEsat}\,I_{Csat}$ أو $P = R_{DS(on)}\,I_D^2$.
الخطوة 2: الشروط
| الشرط | ثنائي القطبية أو Darlington | MOSFET | |---|---|---| | التوتر | $V_{CE\,max} > V_{cc}$ بهامش | $V_{DSS} > V_{cc}$ بهامش | | التيار | $I_{C\,max} > I_{Csat}$ (وتيار الإقلاع) | $I_D$ في الوثيقة أكبر من التيار المطلوب (وتيار الإقلاع) | | الاستطاعة | $V_{CEsat}\,I_C < P_{tot}$ | $R_{DS(on)}\,I_D^2 < P_{tot}$ | | التحكم | $I_{Bsat} = I_C/\beta_{min}$ يقدّمه مخرج التحكم | $V_{GS}$ المتوفر يبلغ قيمة $R_{DS(on)}$ المذكورة |
الخطوة 3: من بين المراجع التي تحقق كل الشروط نختار أبسطها وأقلها كلفة، لا أضخمها: مقحل الاستطاعة الضخم ربحه أصغر وثمنه أكبر وعلبته أكبر. ونذكر في التعليل كل مقارنة بأرقامها.
مثال محلول 1: اختيار تركيب Darlington لمرحل
وشيعة ملامس صغير $24\ V$ مقاومتها $80\ \Omega$، يقودها تركيب Darlington من مخرج منطقي $5\ V$ ($V_{BE} = 1{,}4\ V$). جدول الصانع:
| المرجع | $V_{CE\,max}$ | $I_{C\,max}$ | $\beta_{min}$ | $V_{CEsat}$ | $P_{tot}$ | |---|---|---|---|---|---| | TD1 | $30\ V$ | $0{,}25\ A$ | $10000$ | $1\ V$ | $0{,}625\ W$ | | TD2 | $20\ V$ | $1\ A$ | $20000$ | $1\ V$ | $0{,}625\ W$ | | TD3 | $40\ V$ | $1\ A$ | $10000$ | $1\ V$ | $0{,}625\ W$ | | TD4 | $100\ V$ | $5\ A$ | $1000$ | $2\ V$ | $65\ W$ |
- في الحجب: $V_{CE} = 24\ V$.
- في الإشباع: $I_{Csat} = \dfrac{24 - 1}{80} \approx 0{,}288\ A$، والاستطاعة $P = 1 \times 0{,}288 \approx 0{,}29\ W$.
- المقارنة:
- TD1: $0{,}25\ A$ أصغر من $0{,}288\ A$: مرفوض؛
- TD2: $20\ V$ أصغر من $24\ V$: مرفوض؛
- TD3: $40\ V$ أكبر من $24\ V$، و$1\ A$ أكبر من $0{,}288\ A$، و$0{,}29\ W$ أصغر من $0{,}625\ W$: مقبول؛
- TD4: مقبول لكنه مقحل استطاعة ضخم ($5\ A$، $65\ W$) لحمولة $0{,}29\ A$، وهبوطه $2\ V$.
- الاختيار: TD3.
- مقاومة القاعدة بمعامل فرط إشباع $k = 3$: $I_{Bsat} = 0{,}2875/10000 \approx 28{,}8\ \mu A$، و$I_B = 3 \times 28{,}75 \approx 86{,}3\ \mu A$، و$R_B = \dfrac{5 - 1{,}4}{86{,}3\times 10^{-6}} \approx 41{,}7\ k\Omega$، فنختار $39\ k\Omega$.
- الثنائية D: يمرّ فيها عند الحجب تيار الوشيعة ($0{,}288\ A$)، وتتحمّل في الإشباع توترًا عكسيًا $24\ V$: الثنائية 1N4007 ($1\ A$، $1000\ V$) مناسبة.
مثال محلول 2: اختيار MOSFET لوماض يقوده PIC
الحمولة $3{,}5\ A$ تحت $12\ V$، والتحكم من رجل PIC تحت $5\ V$:
| المرجع | $V_{DSS}$ | $I_D$ | $V_{GS(th)}$ | $R_{DS(on)}$ | |---|---|---|---|---| | M1 | $60\ V$ | $0{,}5\ A$ | $0{,}8$ إلى $3\ V$ | $5\ \Omega$ عند $10\ V$ | | M2 | $100\ V$ | $33\ A$ | $2$ إلى $4\ V$ | $0{,}044\ \Omega$ عند $10\ V$ | | M3 | $55\ V$ | $47\ A$ | $1$ إلى $2\ V$ | $0{,}025\ \Omega$ عند $5\ V$ | | M4 | $55\ V$ | $3\ A$ | $1$ إلى $2\ V$ | $0{,}1\ \Omega$ عند $5\ V$ |
- M1: $0{,}5\ A$ أصغر بكثير من $3{,}5\ A$: مرفوض.
- M2: يتحمّل التوتر والتيار، لكن $R_{DS(on)}$ مضمونة عند $10\ V$ وعتبته قد تبلغ $4\ V$؛ بـ $5\ V$ قد لا يوصل توصيلًا تامًا: مرفوض لهذا التحكم (ممتاز مع NE555 تحت $12\ V$).
- M4: $3\ A$ أصغر من $3{,}5\ A$، فضلًا عن تيار الإشعال: مرفوض.
- M3: $55\ V$ أكبر من $12\ V$ بهامش، و$47\ A$ أكبر بكثير من $3{,}5\ A$، و$R_{DS(on)}$ مضمونة عند $5\ V$. الاستطاعة $P = 0{,}025 \times 3{,}5^2 \approx 0{,}31\ W$.
ملاحظة للامتحان
سؤال «احسب $I_{Csat}$ و$V_{CE}$ في الحجب ثم اختر المقحل المناسب من الجدول مع التعليل» يتكرر كثيرًا. الإجابة الكاملة: القيمتان بوحدتيهما، ثم مقارنة كل مرجع بالشروط مقارنة رقمية، ثم الاختيار. لا يكفي أن تقول «لأنه مناسب».
أخطاء شائعة
- مقارنة $V_{CE\,max}$ بـ $V_{CEsat}$ بدل مقارنتها بـ $V_{cc}$.
- نسيان تيار الإقلاع للمحرك وتيار الإشعال للمصباح.
- اختيار المرجع الأضخم «احتياطًا» دون تعليل.
- نسيان ثنائية العجلة الحرة مع الوشيعة، أو وضعها مع مصباح لا يحتاجها.
6. تمارين محلولة بنمط البكالوريا
التمرين 1: ضوء التحذير لباب مرآب آلي
دفتر الشروط: باب مرآب يفتحه المحرك M (الملامس KM1) ويغلقه (الملامس KM2). في المتمن، المرحلة 1 للفتح والمرحلة 2 للغلق. ما دام الباب يتحرك يومض مصباح تحذير برتقالي H ($12\ V$، $18\ W$) بتواتر قريب من $1\ Hz$، ويكون مطفأً والباب متوقف.
الإنجاز التكنولوجي: دارة الوماض نفسها في الجزء 3 بمصباح واحد H مكان L1 وL2، دون ذراع الإشارة، مع فرق واحد: الطرف 4 (RESET) للدارة NE555 يستقبل الإشارة $E = X_1 + X_2$ القادمة من جزء التحكم (المستوى 1 يساوي $12\ V$). القيم: $R_A = 10\ k\Omega$، $R_B = 68\ k\Omega$، $C = 10\ \mu F$، $R_G = 100\ \Omega$، $R_{GS} = 10\ k\Omega$، وتوتر الحالة 1 لمخرج NE555 نحو $10{,}5\ V$.
وثيقة المقحل T: $V_{DSS} = 60\ V$، $I_D = 10\ A$، $V_{GS(th)}$ من $2$ إلى $4\ V$، $R_{DS(on)} = 0{,}1\ \Omega$ عند $V_{GS} = 10\ V$.
الأسئلة:
- ما نوع المقحل T؟ فسّر بيانات وثيقته.
- ما دور ربط الطرف 4 بالإشارة E؟ ما حالة المصباح والباب متوقف؟
- احسب $t_H$ و$t_L$ والتواتر f والنسبة الدورية α. هل يحقق دفتر الشروط؟
- احسب $V_{GS}$ في الحالة 1، ثم $I_D$ و$V_{DS}$ والاستطاعة المبددة في T أثناء الاشتعال والاستطاعة المتوسطة.
- تحقق من اختيار T. هل تلزم ثنائية عجلة حرة؟
الحل:
- T مقحل MOSFET بقناة N من نوع الإغناء. $V_{DSS} = 60\ V$: أقصى توتر بين D وS في الحجب؛ $I_D = 10\ A$: أقصى تيار مستمر في المصرف؛ $V_{GS(th)}$: يبدأ التوصيل بين $2$ و$4\ V$ حسب العيّنة؛ $R_{DS(on)} = 0{,}1\ \Omega$: مقاومته في التوصيل التام إذا كان $V_{GS} = 10\ V$.
- الطرف 4 فعّال في 0: إذا كان $E = 0$ (الباب متوقف، $X_1 = X_2 = 0$) فُرض المخرج 0، فالمقحل محجوب والمصباح مطفأ. وإذا كان $E = 1$ اشتغل التركيب لامستقرًا فومض المصباح. الإشارة E إذن تشغيل للوماض.
- الحساب:
- $t_H = 0{,}69 \times (10 + 68)\times 10^{3} \times 10\times 10^{-6} \approx 0{,}538\ s$؛
- $t_L = 0{,}69 \times 68\times 10^{3} \times 10^{-5} \approx 0{,}469\ s$؛
- $T \approx 1{,}007\ s$، و$f = 1/T \approx 0{,}99\ Hz$: قريب من $1\ Hz$، يحقق دفتر الشروط؛
- $\alpha = \dfrac{78}{146} \approx 53{,}4\ \%$.
- التشغيل:
- $V_{GS} = 10{,}5 \times \dfrac{10}{10{,}1} \approx 10{,}4\ V$، وهو أكبر من $10\ V$ فالقيمة $R_{DS(on)} = 0{,}1\ \Omega$ مضمونة؛
- $I_D = \dfrac{18}{12} = 1{,}5\ A$؛
- $V_{DS} = 0{,}1 \times 1{,}5 = 0{,}15\ V$؛
- $P_{on} = 0{,}1 \times 1{,}5^2 = 0{,}225\ W$، و$P_{moy} = 0{,}534 \times 0{,}225 \approx 0{,}12\ W$.
- في الحجب $V_{DS} = 12\ V$، أصغر بكثير من $60\ V$؛ و$1{,}5\ A$ أصغر بكثير من $10\ A$، مع هامش لتيار إشعال المصباح البارد؛ والاستطاعة صغيرة. T مناسب. لا تلزم ثنائية عجلة حرة لأن المصباح حمولة مقاومية.
التمرين 2: الكهرومغناطيس في سلسلة فرز
دفتر الشروط: في سلسلة فرز قطع معدنية، يجذب الكهرومغناطيس EM ($230\ V$ متناوب) القطعة المعيبة عندما تكون الإشارة المنطقية $X = 1$ ($5\ V$).

المعطيات: الطابق مطابق للشكل. المرحل KA: وشيعة $24\ V$ مقاومتها $120\ \Omega$. التركيب TD مكوّن من T1 ($\beta_1 = 120$) وT2 ($\beta_2 = 40$)؛ $V_{BE}$ للتركيب $1{,}4\ V$، و$V_{CEsat} = 1\ V$. معامل فرط الإشباع $k = 5$. جدول تراكيب Darlington:
| المرجع | $V_{CE\,max}$ | $I_{C\,max}$ | $P_{tot}$ | |---|---|---|---| | TDa | $15\ V$ | $0{,}5\ A$ | $0{,}5\ W$ | | TDb | $30\ V$ | $1\ A$ | $0{,}625\ W$ | | TDc | $100\ V$ | $0{,}1\ A$ | $0{,}5\ W$ |
الأسئلة:
- احسب ربح التركيب (الدقيق والتقريبي).
- احسب $I_{Csat}$، و$V_{CE}$ في الحجب.
- احسب $R_B$ واختر قيمتها المقيّسة.
- ما دور الثنائية D؟ وماذا يحدث لو حُذفت؟
- اختر TD من الجدول مع التعليل.
- لماذا لا يقود TD الكهرومغناطيس مباشرة؟
- هل يمكن تعويض TD و$R_B$ وD بقناة من الدارة ULN2003؟ كيف تُوصل؟
الحل:
- $\beta = 120 + 40 + 120 \times 40 = 4960$، والتقريب $\beta \approx \beta_1\beta_2 = 4800$ (نستعمله احتياطًا).
- $I_{Csat} = \dfrac{24 - 1}{120} \approx 0{,}192\ A$. في الحجب $I_C = 0$ فـ $V_{CE} = 24\ V$.
- $I_{Bsat} = \dfrac{0{,}192}{4800} \approx 40\ \mu A$، و$I_B = 5 \times 40 = 200\ \mu A$، و$R_B = \dfrac{5 - 1{,}4}{200\times 10^{-6}} = 18\ k\Omega$، وهي قيمة مقيّسة: $R_B = 18\ k\Omega$.
- D ثنائية العجلة الحرة: عند حجب TD يستمر تيار الوشيعة فيها ويتلاشى، فلا يتجاوز $V_{CE}$ نحو $24{,}7\ V$. لو حُذفت لولّدت الوشيعة توترًا $L\,di/dt$ كبيرًا يضاف إلى $24\ V$ ويتجاوز $V_{CE\,max}$ فيتلف TD.
- الاستطاعة: $P = 1 \times 0{,}192 \approx 0{,}19\ W$.
- TDa: $15\ V$ أصغر من $24\ V$: مرفوض؛
- TDc: $0{,}1\ A$ أصغر من $0{,}192\ A$: مرفوض؛
- TDb: $30\ V$ أكبر من $24\ V$، و$1\ A$ أكبر من $0{,}192\ A$، و$0{,}19\ W$ أصغر من $0{,}625\ W$: مقبول.
- الكهرومغناطيس يعمل بتيار متناوب $230\ V$، والمقحل لا يمرّر التيار إلا في اتجاه واحد ولا يتحمّل هذا التوتر في الجدول. والمرحل يحقق أيضًا العزل بين دارة التحكم ودارة $230\ V$.
- نعم: القناة تتحمّل $50\ V$ و$500\ mA$، وهما أكبر من $24\ V$ و$0{,}192\ A$. نصل X بالمدخل 1B (المقاومة $2{,}7\ k\Omega$ داخلية)، والوشيعة بين $+24\ V$ والمخرج 1C، والطرف COM بـ $+24\ V$ (الثنائية داخلية)، والطرف E بالأرضي.
التمرين 3: تهوية بيت بلاستيكي بميكرومراقب
دفتر الشروط: في بيت بلاستيكي يقيس منظّم حرارة (ترموستات) الحرارة: تلامسه على RA0 يعطي $RA0 = 1$ إذا تجاوزت الحرارة العتبة. عندئذ يجب أن تدور المروحة M ($12\ V$ مستمر، $2{,}5\ A$)، وتتوقف عندما $RA0 = 0$.
الإنجاز: الطابق في شكل الجزء 2، لكن البوابة موصولة بالرجل RB3 عبر $R_G$، و$R_{GS} = 47\ k\Omega$. PIC16F84A تحت $5\ V$ ببلورة $4\ MHz$، ورجله تتحمّل $25\ mA$. المقحل T: $V_{DSS} = 55\ V$، $I_D = 20\ A$، $V_{GS(th)}$ من $1$ إلى $2\ V$، $R_{DS(on)} = 0{,}03\ \Omega$ عند $V_{GS} = 4{,}5\ V$.
الأسئلة:
- أعطِ قيمتي TRISA وTRISB (RB3 مخرج، وكل الأرجل الأخرى مداخل) واكتب مقطع التهيئة.
- اكتب البرنامج الرئيسي.
- ما دور $R_{GS}$؟ ماذا قد يحدث عند وضع التغذية لولاها؟
- احسب أصغر $R_G$ واختر قيمتها، ثم احسب $V_{GS}$ في الحالة 1.
- احسب $V_{DS}$ والاستطاعة المبددة في T والمروحة تدور.
- لماذا تلزم الثنائية D؟ ولماذا لا يصلح مقحل عادي $R_{DS(on)}$ له مضمونة عند $10\ V$ فقط؟
الحل:
- $TRISB = 1111\,0111_{(2)} = F7h$ (البت 3 في 0 لأنه مخرج)، و$TRISA = 1\,1111_{(2)} = 1Fh$.
- البرنامج الرئيسي يقرأ RA0 ويكتب RB3:
- بعد إعادة التهيئة وإلى أن تُنفَّذ التهيئة تكون RB3 مدخلًا (ممانعة عالية). $R_{GS}$ تثبّت البوابة على 0 فيبقى T محجوبًا. لولاها قد تبقى البوابة عائمة فتدور المروحة أو يوصل T جزئيًا ويسخن.
- $R_G \ge \dfrac{5}{25\times 10^{-3}} = 200\ \Omega$، فنختار $220\ \Omega$. $V_{GS} = 5 \times \dfrac{47}{47{,}22} \approx 4{,}98\ V$، وهو أكبر من $4{,}5\ V$ فـ $R_{DS(on)} = 0{,}03\ \Omega$ مضمونة.
- $V_{DS} = 0{,}03 \times 2{,}5 = 0{,}075\ V$، و$P = 0{,}03 \times 2{,}5^2 \approx 0{,}19\ W$: لا يلزم مبرّد.
- المروحة محرك، أي حمولة حثية: عند الحجب تحدّ الثنائية D التوتر $V_{DS}$ عند نحو $12{,}7\ V$، والثنائية الداخلية للمقحل لا تقوم بذلك. والمقحل العادي قد تبلغ عتبته $4\ V$، فـ $5\ V$ لا تضمن توصيله التام: يبقى في منطقة التيار الثابت ويسخن والمروحة لا تبلغ سرعتها.
الجزء الأول من الدرس مفتوح للجميع، وبقيته مع الاشتراك.